Автоматизоване проектування одноелектронних наносхем
DOI:
https://doi.org/10.18372/2073-4751.2.7714Ключові слова:
наноелектроніка, одноелектронні схеми, мажоритарні елементиАнотація
Запропоновано наносхему на базі одноелектронних транзисторів з використанням пятивходового мажоритарного елементу для комп’ютерного моделювання повного однорозрядного суматора
Посилання
Likhаrev K. K. 1999. Singleelectron devices and their application. Proc. Of IEEE 87. Р.606–632.
Zardalidis G. T. 2002. A singleelectron half-adder. Microelectronics journal no. 33. Р. 265–269.
Amir Sahafi, Keivan Navi, “A novel five-input configurable cell based on single electron transistor minority gates”.
Young M. 1999. The Technical Writer’s Handbook. Mill Valley, CA: University Science.
Wasshuber C. 1997. SIMON – A simulator for single-electron tunnel and circuits. IEEE Trans. On Computer aided design, 16. Р. 937–944.
Пакулов Н. И. Мажоритарный принцип построения надежных узлов и устройств ЦВМ/Н. И. Пакулов. – М.: Сов. радио, 1974, – 184 с.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Науковий журнал дотримується принципів відкритого доступу (Open Access) та забезпечує вільний, негайний і постійний доступ до всіх опублікованих матеріалів без фінансових, технічних або юридичних обмежень для читачів.
Усі статті публікуються у відкритому доступі відповідно до ліцензії Creative Commons Attribution 4.0 International (CC BY 4.0).
Авторські права
Автори, які публікують свої роботи в журналі:
-
зберігають за собою авторські права на свої публікації;
-
надають журналу право на перше опублікування статті;
-
погоджуються на поширення матеріалів за ліцензією CC BY 4.0;
-
мають право повторно використовувати, архівувати та поширювати свої роботи (у тому числі в інституційних та тематичних репозитаріях) за умови посилання на первинну публікацію в журналі.