Моделювання впливу параметрів основних компонентів джерел опорної напруги на вихідну напругу
DOI:
https://doi.org/10.18372/2073-4751.63.15002Ключові слова:
Джерело опорної напруги, КМОН технологія, температурна залежність, температурний коефіцієнтАнотація
Метою дослідження є розробка моделі джерела опорної напруги, що здатна промоделювати вплив параметрів основних структурних складових ДОН на точність і температурну стабільність вихідної напруги.В статті проведено аналіз сучасного стану джерел опорної напруги в інтегральних мікросхемах. Встановлено, що це є одним із основних блоків кожної мікросхеми. З’ясовано, що до ДОН висувають ряд вимог: вони повинні володіти низькою чутливістю до зміни напруги живлення, температури, та до відхилень параметрів технологічного процесу виготовлення. При цьому ДОН повинні працювати при напрузі живлення рівній або меншій 1 В, щоб відповідати сучасним аспектам застосування. Запропоновано можливий підхід до побудови джерела опорної напруги, що має температуро незалежну вихідну напругу і здатне працювати при напрузі живлення рівній або меншій 1 В. Дане рішення має можливість реалізації в стандартній КМОН технології виготовлення інтегральних схем. Проведено аналіз можливих джерел похибки, що погіршують точність вихідної напруги джерела опорної напруги. Встановлено, що найбільш сильно на точність вихідної напруги впливає напруга зміщення операційних підсилювачів. Запропоновано ідеалізовану модель, що містить ідеальні резистори і операційні підсилювачі – компоненти, що найбільш сильно впливають на точність і стабільність вихідної напруги ДОН. Розроблено модель операційного підсилювача, що здатна моделювати вхідний струм зміщення, вхідну напругу зміщення, вхідний опір, диференційний коефіцієнт підсилення, вихідний опір, частотну залежність операційного підсилювача. Досліджено вплив коефіцієнту підсилення по напрузі, частотної смуги пропускання, вихідного опору операційного підсилювача, вхідної напруги зміщення на номінальну вихідну напругу і на температурний коефіцієнт. Проведено регресійний аналіз для відображення у вигляді поліному 4-го порядку вигляду температурну залежність генерованих в схемі струмів. Що дозволяє вибрати коректні значення коефіцієнтів передачі струму у струмових дзеркалах для зменшення температурної залежності вихідної напруги.
Посилання
Джерело опорної напруги. [Елек-тронний ресурс] – Режим доступу: https://en.wikipedia.org/wiki/Voltage_reference.
K. N. Leung and K. T. Mok, “A sub-1-V 15-ppm/C CMOS bandgap voltage ref-erence without requiring low threshold volt-age device,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 37. – №. 4. – P. 526–529, Apr. 2002.
H. Neuteboom, B. M. J. Kup, and M. Janssens, “A DSP-based hearing instru-ment IC,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 32. – №. 11. – P. 1790–1806, Nov. 1997.
P. Malcovati, F. Maloberti, M. Pruz-zi, and C. Fiocchi, “Curvature compensated BiCMOS bandgap with 1-V supply voltage,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 36. – №. 7. – P. 1076–1081, Jul. 2001.
G. A. Rincon-Mora, Voltage Refer-ence-From Diodes to Precision High-Order Bandgap Circuits. – New York: Wiley, 2002.
Стала Больцмана. [Електронний ресурс] – Режим доступу: https://bit.ly/-36AxwFl.
Цимбал О. В. Методи компенсації температурної залежності вихідної напру-ги в джерелах опорної напруги інтегра-льних мікросхем / Електронна і акустична інженерія. – Том 3, №1. –К.:КПІ ім. І. Сі-корського, 2020. – С.23-28.
Guang Ge, Cheng Zhang, Gian Hoogzaad, Kofi A. A. Makinwa. “A Single-Trim CMOS Bandgap Reference With a 3σ Inaccuracy of ±0.15% From −40C to 125C,” IEEE Journal of Solid-State Circuits (Vol-ume: 46, Issue: 11, Nov. 2011.)
Paul Brokaw, “How to Make a BANDGAP VOLTAGEREFERENCE in ONE EASY Lesson A». Integrated Device Technology, 2011.
Precision voltage references/ [Електронний ресурс] – Режим доступу https://bit.ly/3eW7PTD/.
Monte Carlo Simulation. [Елект-ронний ресурс] – Режим доступу: https://bit.ly/38MVW1j.
Linear Regression. Help Center MathWork. [Електронний ресурс] – Режим доступу: https://bit.ly/3nm8P6d.
##submission.downloads##
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Науковий журнал дотримується принципів відкритого доступу (Open Access) та забезпечує вільний, негайний і постійний доступ до всіх опублікованих матеріалів без фінансових, технічних або юридичних обмежень для читачів.
Усі статті публікуються у відкритому доступі відповідно до ліцензії Creative Commons Attribution 4.0 International (CC BY 4.0).
Авторські права
Автори, які публікують свої роботи в журналі:
-
зберігають за собою авторські права на свої публікації;
-
надають журналу право на перше опублікування статті;
-
погоджуються на поширення матеріалів за ліцензією CC BY 4.0;
-
мають право повторно використовувати, архівувати та поширювати свої роботи (у тому числі в інституційних та тематичних репозитаріях) за умови посилання на первинну публікацію в журналі.