Комп’ютерне моделювання характеристик одноелектронних транзисторів
DOI:
https://doi.org/10.18372/1990-5548.51.11692Ключові слова:
одноелектронні транзистори, моделювання, вольт-амперні характеристикиАнотація
Розроблено методи моделювання електричних та температурних характеристик одноелектронного транзистора для інформаційного забезпечення системи автоматизованого схемотехнічного проектування Electronics Workbench. Проаналізовано залежність вольт-амперних характеристик наноприладу від впливу температури таробочого режимуПосилання
S. W. Hwang, KOSEC developed at Nanoelectronics Laboratory in Korea University. Seoul, Korea, 2008. 825 p.
Y. S. Yu, “Modeling of Single-Electron Transistors for Efficient Circuit and Design.” IEEE Trans. Electron. Devices. 1999, no. 7, pp. 1667–1682.
##submission.downloads##
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Науковий журнал "Електроніка та системи управління" дотримується принципів відкритого доступу (Open Access) та забезпечує вільний, негайний і постійний доступ до всіх опублікованих матеріалів без фінансових, технічних або юридичних обмежень для читачів.
Усі статті публікуються у відкритому доступі відповідно до ліцензії Creative Commons Attribution 4.0 International (CC BY 4.0).
Авторські права
Автори, які публікують свої роботи в журналі ""Електроніка та системи управління":
-
зберігають за собою авторські права на свої публікації;
-
надають журналу право на перше опублікування статті;
-
погоджуються на поширення матеріалів за ліцензією CC BY 4.0;
-
мають право повторно використовувати, архівувати та поширювати свої роботи (у тому числі в інституційних та тематичних репозитаріях) за умови посилання на первинну публікацію в журналі.